per Ruchita R Patel, Nitingiri N Gosai · Edizioni Sapienza · tapa blanda · ISBN 9786208907594
IVA inclòs
Última unitat!6 persones el tenen al carret
Mètodes de pagament disponibles
Més de 2 milions de productes venuts
I més de 800.000 títols en estoc
Garantia de qualitat Hamelyn · revisat i verificat, o et tornem els diners
«Studio della crescita, della struttura e della PEC di semiconduttori a cristallo singolo di GeSePb» és un estudi de Ruchita R Patel i Nitingiri N Gosai.
Analitza el creixement de cristalls individuals del semiconductor GeSePb per transport de vapor, estudiant defectes i condicions òptimes. Examina estructura i composició amb difracció de raigs X i EDAX, i el seu ús en cèl·lules solars fotoelectroquímiques (PEC), amb propietats físiques i químiques.
Publicat per Edizioni Sapienza el 2025; text en italià, 148 pàgines.
Per a interessats en física de semiconductors, creixement de cristalls i cèl·lules solars fotoelectroquímiques.
